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Samsung MZ-V9P2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC (MZ-V9P2T0GW)

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  • SAMSUNG
  • MZ-V9P2T0GW
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Samsung MZ-V9P2T0. SSD Speicherkapazität: 2 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7450... mehr
Produktinformationen "Samsung MZ-V9P2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC (MZ-V9P2T0GW)"
Samsung MZ-V9P2T0. SSD Speicherkapazität: 2 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s, Komponente für: PC/Spielekonsole

  • 2 TB M.2 PCI Express 4.0
  • Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s 1400000 IOPS
  • Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s 1550000 IOPS
  • V-NAND MLC NVMe 2.0
  • Hardwareverschlüsselung 256-bit AES
  • S.M.A.R.T. Unterstützung TRIM-Unterstützung
  • Komponente für: PC/Spielekonsole
Weiterführende Links: "Samsung MZ-V9P2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC (MZ-V9P2T0GW)"
Informationen zur Produktsicherheit:
Name des Herstellers: Samsung Electronics GmbH
Adresse: Frankfurter Str. 2, 65760 Eschborn, Deutschland
E-Mail: kundenbetreuung@samsung.de
Internet: https://www.samsung.com/de
Merkmale
NVMe Version 2.0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen 256-bit AES
SSD Speicherkapazität 2 TB
SSD-Formfaktor M.2
Schnittstelle PCI Express 4.0
NVMe Ja
Speichertyp V-NAND MLC
Komponente für PC/Spielekonsole
Hardwareverschlüsselung Ja
M.2 SSD- Größe 2280 (22 x 80 mm)
Lesegeschwindigkeit 7450 MB/s
Schreibgeschwindigkeit 6900 MB/s
Zufälliges Lesen (4KB) 1400000 IOPS
Zufälliges Schreiben (4KB) 1550000 IOPS
DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung Ja
S.M.A.R.T. Unterstützung Ja
TRIM-Unterstützung Ja
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) 1500000 h
Energie
Arbeitsspannung 3,3 V
Stromverbrauch (max.) 8,5 W
Stromverbrauch (durchschnittl.) 5,5 W
Energieverbrauch (idle) 0,055 W
Gewicht und Abmessungen
Breite 80 mm
Tiefe 8,2 mm
Höhe 24,3 mm
Gewicht 28 g
Betriebsbedingungen
Betriebstemperatur 0 - 70 °C
Stoßfestigkeit in Betrieb 1500 G

* Für Fehler im Datenblatt übernimmt Tiefenbach IT GmbH keine Haftung.
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