Samsung MZ-V9P1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC (MZ-V9P1T0GW)

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Artikelnummer: 1047590
Hersteller: SAMSUNG
Herstellernummer: MZ-V9P1T0GW

Zustand: Factory Sealed
EAN: 8806094594645

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Produktinformationen "Samsung MZ-V9P1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC (MZ-V9P1T0GW)"

Samsung MZ-V9P1T0. SSD Speicherkapazität: 1 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s, Komponente für: PC/Spielekonsole

1 TB M.2 PCI Express 4.0
Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s 1200000 IOPS
Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s 1550000 IOPS
V-NAND MLC NVMe 2.0
Hardwareverschlüsselung 256-bit AES
S.M.A.R.T. Unterstützung TRIM-Unterstützung
Komponente für: PC/Spielekonsole

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Informationen zur Produktsicherheit:

Name des Herstellers:	Samsung Electronics GmbH
Adresse:	Frankfurter Str. 2, 65760 Eschborn, Deutschland
E-Mail:	kundenbetreuung@samsung.de
Internet:	https://www.samsung.com/de

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Merkmale

NVMe Version	2.0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen	256-bit AES
SSD Speicherkapazität	1 TB
SSD-Formfaktor	M.2
Schnittstelle	PCI Express 4.0
NVMe	Ja
Speichertyp	V-NAND MLC
Komponente für	PC/Spielekonsole
Hardwareverschlüsselung	Ja
M.2 SSD- Größe	2280 (22 x 80 mm)
Lesegeschwindigkeit	7450 MB/s
Schreibgeschwindigkeit	6900 MB/s
Zufälliges Lesen (4KB)	1200000 IOPS
Zufälliges Schreiben (4KB)	1550000 IOPS
DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung	Ja
S.M.A.R.T. Unterstützung	Ja
TRIM-Unterstützung	Ja
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF)	1500000 h

Energie

Arbeitsspannung	3,3 V
Stromverbrauch (max.)	7,8 W
Stromverbrauch (durchschnittl.)	5,4 W
Energieverbrauch (idle)	0,05 W

Gewicht und Abmessungen

Breite	80 mm
Tiefe	8,2 mm
Höhe	24,3 mm
Gewicht	28 g

Betriebsbedingungen

Betriebstemperatur	0 - 70 °C
Stoßfestigkeit in Betrieb	1500 G

* Für Fehler im Datenblatt übernimmt Tiefenbach IT GmbH keine Haftung.